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三星據(jù)悉將擴(kuò)大用于HBM4的DRAM產(chǎn)能

界面快報(bào) · 來源：界面新聞

2月6日消息，據(jù)報(bào)道，三星電子計(jì)劃今年將基于10納米工藝的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）產(chǎn)量提升約170%。三星制定戰(zhàn)略，將在韓國京畿道平澤第四工廠安裝設(shè)備，計(jì)劃明年第一季度實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)10萬至12萬片DRAM晶圓；該生產(chǎn)線將全面配備制造HBM4用1c DRAM的設(shè)備。三星當(dāng)前1c DRAM月產(chǎn)能為7萬片晶圓。

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