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IPO雷達(dá)|鍇威特闖關(guān)科創(chuàng)板:監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進(jìn)性,實(shí)控人曾兼職另一家IPO排隊(duì)公司董事

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IPO雷達(dá)|鍇威特闖關(guān)科創(chuàng)板:監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進(jìn)性,實(shí)控人曾兼職另一家IPO排隊(duì)公司董事

主要產(chǎn)品發(fā)明專利少。

IPO

圖片來(lái)源:圖蟲(chóng)

記者張喬遇

發(fā)明專利、核心技術(shù)以及研發(fā)實(shí)力系監(jiān)管對(duì)于科創(chuàng)板IPO排隊(duì)公司審核過(guò)程重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。

近日闖關(guān)科創(chuàng)板的蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司簡(jiǎn)稱鍇威特進(jìn)入問(wèn)詢階段,兩輪問(wèn)詢中上交所對(duì)于鍇威特的技術(shù)先進(jìn)性及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,發(fā)明專利、技術(shù)來(lái)源等重點(diǎn)提出共12小問(wèn),公司科創(chuàng)實(shí)力如何?

監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進(jìn)性

公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、研發(fā)和銷售,并提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類,此外公司還通過(guò)技術(shù)服務(wù)來(lái)獲得收入。

圖片來(lái)源:招股書

功率器件是鍇威特營(yíng)收的核心,產(chǎn)品以高壓平面MOSFET為主,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)研發(fā)了集成快恢復(fù)高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產(chǎn)品。平面MOSFET產(chǎn)品包括集成快速恢復(fù)高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產(chǎn)品。

芯謀研究數(shù)據(jù)顯示鍇威特2021年平面MOSFET國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約為3.14%;Omdia數(shù)據(jù)測(cè)算2020年鍇威特FRMOS產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約為6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵蓋的FRMOS悉鍇威特收入主力,但卻遭到了上交所兩輪技術(shù)先進(jìn)性問(wèn)詢,針對(duì)該產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況、核心技術(shù)、發(fā)明專利、研發(fā)周期等多方面要求鍇威特進(jìn)行說(shuō)明。

核心技術(shù)以及發(fā)明專利系監(jiān)管質(zhì)疑重點(diǎn)之一。據(jù)招股書披露,公司共有10項(xiàng)核心技術(shù),其中存在4項(xiàng)核心技術(shù)對(duì)應(yīng)為非專利技術(shù),且應(yīng)用的產(chǎn)品主要為公司核心FRMOS、平面MOSFET產(chǎn)品。

截至招股書簽署日,鍇威特獲授權(quán)的發(fā)明專利共8項(xiàng)。其中5項(xiàng)為公司成立當(dāng)年取得,1項(xiàng)為2016年取得,2項(xiàng)為2020年、2021年取得,其中7項(xiàng)形成了主營(yíng)業(yè)務(wù)收入。

在一輪問(wèn)詢函的回復(fù)中,鍇威特截至2022年8月31日的境內(nèi)發(fā)明專利又獲批4項(xiàng),共12項(xiàng),但12項(xiàng)發(fā)明專利中,也僅有2項(xiàng)發(fā)明專利系應(yīng)用于MOSFET產(chǎn)品,其余發(fā)明專利均主要應(yīng)用于功率IC產(chǎn)品,且公司在研項(xiàng)目大部分均與功率IC有關(guān)。招股書顯示2019年至2021年,鍇威特功率IC產(chǎn)品收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比重分別只有2.00%、2.41%和5.76%。

根據(jù)二輪問(wèn)詢函的回復(fù)中,公司表示MOSFET產(chǎn)品共涉及4項(xiàng)非專利技術(shù)和8項(xiàng)專利技術(shù)。

圖片來(lái)源:鍇威特二輪問(wèn)詢函回復(fù)
圖片來(lái)源:鍇威特二輪問(wèn)詢函回復(fù)

界面新聞?dòng)浾咦⒁獾?,公司列舉的8項(xiàng)專利技術(shù)涉及的發(fā)明專利共10項(xiàng)。其中已獲得授權(quán)的發(fā)明專利僅3項(xiàng),其余7項(xiàng)發(fā)明專利均處于在審階段。

三項(xiàng)發(fā)明專利分別對(duì)應(yīng)招股書中“一種集成耗盡型啟動(dòng)器件的功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管”、“一種利用Power MOS管實(shí)現(xiàn)高壓快速啟動(dòng)的AC-DC開(kāi)關(guān)電源用供電電路”、“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根據(jù)這三項(xiàng)發(fā)明專利在主營(yíng)業(yè)務(wù)中的運(yùn)用情況顯示,除“一種利用Power MOS管實(shí)現(xiàn)高壓快速啟動(dòng)的AC-DC開(kāi)關(guān)電源用供電電路”發(fā)明專利應(yīng)用于功率器件及功率IC產(chǎn)品且收入貢獻(xiàn)占比超50%外,其余兩項(xiàng)與MOSFET有關(guān)的發(fā)明專利貢獻(xiàn)極低。

其中,“一種集成耗盡型啟動(dòng)器件的功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管”主要應(yīng)用于功率器件產(chǎn)品,2019年至20221-6月的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入貢獻(xiàn)占比分別為2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,專利收入貢獻(xiàn)較低。

公司解釋原因系:其一,該項(xiàng)專利相關(guān)產(chǎn)品屬于耗盡型MOSFET,該類產(chǎn)品只應(yīng)用于部分要求低待機(jī)功耗的系統(tǒng)中,其市場(chǎng)需求相對(duì)增強(qiáng)型MOSFET來(lái)說(shuō)占比較低,發(fā)行人功率器件主要為增強(qiáng)型MOSFET;其二,該專利相關(guān)產(chǎn)品電流較小,其單價(jià)本身較低。

另“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”應(yīng)用于集成肖特基二極管的碳化硅MOSFET產(chǎn)品,但目前尚未形成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入。

實(shí)控人、部分核心技術(shù)人員來(lái)自無(wú)錫硅動(dòng)力

公司核心技術(shù)人員相關(guān)情況也受到了監(jiān)管關(guān)注。

招股書顯示,鍇威特的實(shí)際控制人系丁國(guó)華,丁國(guó)華直接持有公司20.26%的股份,并通過(guò)一致行動(dòng)協(xié)議及員工持股平臺(tái)間接控制公司合計(jì)62.93%的表決權(quán)。

鍇威特成立于2015年1月,丁國(guó)華2015年9月至今歷任公司的總裁、董事長(zhǎng),丁國(guó)華也是公司的核心技術(shù)人員。值得注意的是,在鍇威特任職期間,丁國(guó)華同時(shí)還兼任無(wú)錫硅動(dòng)力高管。

招股書顯示,2000年9月至2003年4月任無(wú)錫硅科動(dòng)力技術(shù)有限公司副董事長(zhǎng),2003年6月至2015年8月歷任無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司副董事長(zhǎng)、董事長(zhǎng)、總經(jīng)理、副總經(jīng)理等職,2003年6月至2019年1月任無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司董事。

同時(shí),公司董事、副總經(jīng)理、研發(fā)部總經(jīng)理譚在超也曾于2007年11月至2012年10月在無(wú)錫硅動(dòng)力任研發(fā)部經(jīng)理一職,2015年3月起開(kāi)始在公司任職。

根據(jù)公司問(wèn)詢回復(fù),鍇威特還存在6名員工曾在無(wú)錫硅動(dòng)力任職。上述8名員工中丁國(guó)華與無(wú)錫硅動(dòng)力曾簽署《保密協(xié)議書》、涂才根于無(wú)錫硅動(dòng)力離職時(shí)簽署有《離職保密承諾書》;張瑰艷與琪鑫瑞微電子科技無(wú)錫有限公司存在保密約定。

圖片來(lái)源:鍇威特一輪問(wèn)詢函回復(fù)

據(jù)鍇威特回復(fù),丁國(guó)華與無(wú)錫硅動(dòng)力簽署的《保密協(xié)議書》已隨著丁國(guó)華的勞動(dòng)關(guān)系解除而終止;張瑰艷遇徐才根不存在違反保密協(xié)議約定及侵犯無(wú)錫硅動(dòng)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)的情形。

無(wú)錫硅動(dòng)力主要從事以AC-DC芯片和DC-DC芯片為主的數(shù)模混合電源管理IC的研發(fā)、設(shè)計(jì)、測(cè)試和銷售,其產(chǎn)品AC-DC芯片主要應(yīng)用于消費(fèi)類快充充電器和電源適配器等,DC-DC芯片主要應(yīng)用于車載類快充充電器等。無(wú)錫硅動(dòng)力全稱無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司,簡(jiǎn)稱硅動(dòng)力目前也正闖關(guān)科創(chuàng)板,已進(jìn)入一輪問(wèn)詢階段

此外,公司核心技術(shù)人員張勝于2018年3月入職,存在入職后不久即參與公司發(fā)明專利申請(qǐng)的情形

對(duì)此,保薦機(jī)構(gòu)、發(fā)行人律師會(huì)同保薦機(jī)構(gòu)向其前任職單位無(wú)錫中感微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“無(wú)錫中感微”)發(fā)送《確認(rèn)函》,就張勝是否存在屬于無(wú)錫中感微的職務(wù)發(fā)明情形進(jìn)行詢證,截至本回復(fù)出具日,尚未取得無(wú)錫中感微的回復(fù)。

未經(jīng)正式授權(quán)嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載本文,侵權(quán)必究。

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IPO雷達(dá)|鍇威特闖關(guān)科創(chuàng)板:監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進(jìn)性,實(shí)控人曾兼職另一家IPO排隊(duì)公司董事

主要產(chǎn)品發(fā)明專利少。

IPO

圖片來(lái)源:圖蟲(chóng)

記者張喬遇

發(fā)明專利、核心技術(shù)以及研發(fā)實(shí)力系監(jiān)管對(duì)于科創(chuàng)板IPO排隊(duì)公司審核過(guò)程重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。

近日,闖關(guān)科創(chuàng)板的蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司簡(jiǎn)稱鍇威特進(jìn)入問(wèn)詢階段兩輪問(wèn)詢中上交所對(duì)于鍇威特的技術(shù)先進(jìn)性及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,發(fā)明專利、技術(shù)來(lái)源等重點(diǎn)提出共12小問(wèn),公司科創(chuàng)實(shí)力如何

監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進(jìn)性

公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、研發(fā)和銷售,并提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類,此外公司還通過(guò)技術(shù)服務(wù)來(lái)獲得收入。

圖片來(lái)源:招股書

功率器件是鍇威特營(yíng)收的核心,產(chǎn)品以高壓平面MOSFET為主,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)研發(fā)了集成快恢復(fù)高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產(chǎn)品。平面MOSFET產(chǎn)品包括集成快速恢復(fù)高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產(chǎn)品。

芯謀研究數(shù)據(jù)顯示鍇威特2021年平面MOSFET國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約為3.14%;Omdia數(shù)據(jù)測(cè)算2020年鍇威特FRMOS產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約為6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵蓋的FRMOS悉鍇威特收入主力,但卻遭到了上交所兩輪技術(shù)先進(jìn)性問(wèn)詢,針對(duì)該產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況、核心技術(shù)、發(fā)明專利、研發(fā)周期等多方面要求鍇威特進(jìn)行說(shuō)明。

核心技術(shù)以及發(fā)明專利系監(jiān)管質(zhì)疑重點(diǎn)之一。據(jù)招股書披露,公司共有10項(xiàng)核心技術(shù),其中存在4項(xiàng)核心技術(shù)對(duì)應(yīng)為非專利技術(shù),且應(yīng)用的產(chǎn)品主要為公司核心FRMOS、平面MOSFET產(chǎn)品。

截至招股書簽署日,鍇威特獲授權(quán)的發(fā)明專利共8項(xiàng)。其中5項(xiàng)為公司成立當(dāng)年取得,1項(xiàng)為2016年取得,2項(xiàng)為2020年、2021年取得,其中7項(xiàng)形成了主營(yíng)業(yè)務(wù)收入。

在一輪問(wèn)詢函的回復(fù)中,鍇威特截至2022年8月31日的境內(nèi)發(fā)明專利又獲批4項(xiàng),共12項(xiàng),但12項(xiàng)發(fā)明專利中,也僅有2項(xiàng)發(fā)明專利系應(yīng)用于MOSFET產(chǎn)品,其余發(fā)明專利均主要應(yīng)用于功率IC產(chǎn)品,且公司在研項(xiàng)目大部分均與功率IC有關(guān)。招股書顯示,2019年至2021年,鍇威特功率IC產(chǎn)品收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比重分別只有2.00%、2.41%和5.76%。

根據(jù)二輪問(wèn)詢函的回復(fù)中公司表示MOSFET產(chǎn)品共涉及4項(xiàng)非專利技術(shù)和8項(xiàng)專利技術(shù)。

圖片來(lái)源:鍇威特二輪問(wèn)詢函回復(fù)
圖片來(lái)源:鍇威特二輪問(wèn)詢函回復(fù)

界面新聞?dòng)浾咦⒁獾剑玖信e的8項(xiàng)專利技術(shù)涉及的發(fā)明專利共10項(xiàng)。其中已獲得授權(quán)的發(fā)明專利僅3項(xiàng),其余7項(xiàng)發(fā)明專利均處于在審階段。

三項(xiàng)發(fā)明專利分別對(duì)應(yīng)招股書中“一種集成耗盡型啟動(dòng)器件的功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管”、“一種利用Power MOS管實(shí)現(xiàn)高壓快速啟動(dòng)的AC-DC開(kāi)關(guān)電源用供電電路”、“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根據(jù)這三項(xiàng)發(fā)明專利在主營(yíng)業(yè)務(wù)中的運(yùn)用情況顯示,除“一種利用Power MOS管實(shí)現(xiàn)高壓快速啟動(dòng)的AC-DC開(kāi)關(guān)電源用供電電路”發(fā)明專利應(yīng)用于功率器件及功率IC產(chǎn)品且收入貢獻(xiàn)占比超50%外,其余兩項(xiàng)與MOSFET有關(guān)的發(fā)明專利貢獻(xiàn)極低。

其中,“一種集成耗盡型啟動(dòng)器件的功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管”主要應(yīng)用于功率器件產(chǎn)品,2019年至20221-6月的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入貢獻(xiàn)占比分別為2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,專利收入貢獻(xiàn)較低。

公司解釋原因系:其一,該項(xiàng)專利相關(guān)產(chǎn)品屬于耗盡型MOSFET,該類產(chǎn)品只應(yīng)用于部分要求低待機(jī)功耗的系統(tǒng)中,其市場(chǎng)需求相對(duì)增強(qiáng)型MOSFET來(lái)說(shuō)占比較低,發(fā)行人功率器件主要為增強(qiáng)型MOSFET;其二,該專利相關(guān)產(chǎn)品電流較小,其單價(jià)本身較低。

另“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”應(yīng)用于集成肖特基二極管的碳化硅MOSFET產(chǎn)品,但目前尚未形成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入。

實(shí)控人部分核心技術(shù)人員來(lái)自無(wú)錫硅動(dòng)力

公司核心技術(shù)人員相關(guān)情況也受到了監(jiān)管關(guān)注。

招股書顯示,鍇威特的實(shí)際控制人系丁國(guó)華,丁國(guó)華直接持有公司20.26%的股份,并通過(guò)一致行動(dòng)協(xié)議及員工持股平臺(tái)間接控制公司合計(jì)62.93%的表決權(quán)。

鍇威特成立于2015年1月,丁國(guó)華2015年9月至今歷任公司的總裁、董事長(zhǎng),丁國(guó)華也是公司的核心技術(shù)人員。值得注意的是,在鍇威特任職期間,丁國(guó)華同時(shí)還兼任無(wú)錫硅動(dòng)力高管。

招股書顯示,2000年9月至2003年4月任無(wú)錫硅科動(dòng)力技術(shù)有限公司副董事長(zhǎng),2003年6月至2015年8月歷任無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司副董事長(zhǎng)、董事長(zhǎng)、總經(jīng)理、副總經(jīng)理等職,2003年6月至2019年1月任無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司董事。

同時(shí),公司董事、副總經(jīng)理、研發(fā)部總經(jīng)理譚在超也曾于2007年11月至2012年10月在無(wú)錫硅動(dòng)力任研發(fā)部經(jīng)理一職,2015年3月起開(kāi)始在公司任職。

根據(jù)公司問(wèn)詢回復(fù),鍇威特還存在6名員工曾在無(wú)錫硅動(dòng)力任職。上述8名員工中丁國(guó)華與無(wú)錫硅動(dòng)力曾簽署《保密協(xié)議書》、涂才根于無(wú)錫硅動(dòng)力離職時(shí)簽署有《離職保密承諾書》;張瑰艷與琪鑫瑞微電子科技無(wú)錫有限公司存在保密約定。

圖片來(lái)源:鍇威特一輪問(wèn)詢函回復(fù)

據(jù)鍇威特回復(fù),丁國(guó)華與無(wú)錫硅動(dòng)力簽署的《保密協(xié)議書》已隨著丁國(guó)華的勞動(dòng)關(guān)系解除而終止;張瑰艷遇徐才根不存在違反保密協(xié)議約定及侵犯無(wú)錫硅動(dòng)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)的情形。

無(wú)錫硅動(dòng)力主要從事以AC-DC芯片和DC-DC芯片為主的數(shù)?;旌想娫垂芾鞩C的研發(fā)、設(shè)計(jì)、測(cè)試和銷售,其產(chǎn)品AC-DC芯片主要應(yīng)用于消費(fèi)類快充充電器和電源適配器等,DC-DC芯片主要應(yīng)用于車載類快充充電器等。無(wú)錫硅動(dòng)力全稱無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司,簡(jiǎn)稱硅動(dòng)力目前也正闖關(guān)科創(chuàng)板,已進(jìn)入一輪問(wèn)詢階段

此外,公司核心技術(shù)人員張勝于2018年3月入職,存在入職后不久即參與公司發(fā)明專利申請(qǐng)的情形。

對(duì)此,保薦機(jī)構(gòu)、發(fā)行人律師會(huì)同保薦機(jī)構(gòu)向其前任職單位無(wú)錫中感微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“無(wú)錫中感微”)發(fā)送《確認(rèn)函》,就張勝是否存在屬于無(wú)錫中感微的職務(wù)發(fā)明情形進(jìn)行詢證,截至本回復(fù)出具日,尚未取得無(wú)錫中感微的回復(fù)。

未經(jīng)正式授權(quán)嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載本文,侵權(quán)必究。